一种具有多级电容转化的忆容器件及其制备方法

本发明公开了一种具有多级电容转化的忆容器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该忆容器件具有nn异质结构，包括依次生长在衬底表面上的底电极层、宽禁带n型半导体层、n型金属氧化物半导体层和若干顶电极层。本发明构建的nn异质结构减少了对材料电导性的依赖，增加了忆容器件的材料选择。且本发明的忆容器件通过调节扫描电压的大小和频率可引起忆容器件势垒区宽度的变化，从而实现多级电容转换的记忆功能，解决了两端记忆器件在集成时面临的功耗和串声问题。本发明还提供了一种制备工艺简单且成本低廉，有利于忆容器件批量生产的制备方法。