一种利用氧空位调控铁电氧化物薄膜极化取向的方法

本发明公开了一种利用氧空位调控铁电氧化物薄膜极化取向的方法，所述方法包括在1×10‑1×10Torr范围下生长铁电氧化物薄膜，引入氧空位；将生长结束的铁电氧化物薄膜在1×10‑1×10Torr氧压下进行退火处理，消除氧空位。该方法通过氧空位引入‑消除的工艺，实现对铁电薄膜面外与面内极化取向的可控转换，同时保持了薄膜的高晶体质量与优良的电学性能。本发明工艺简单、普适性强，不依赖于特定衬底，可用于制备具有定制化极化取向的高质量铁电薄膜。