一种半导体结构及其制备方法

本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，制备方法包括：在衬底上形成掩膜层；掩膜层包括刻蚀窗口；基于刻蚀窗口，对衬底进行刻蚀，在衬底内形成沟槽；其中，在沟槽的深度方向上，沟槽包括多级子沟槽，子沟槽的侧壁为曲面。本申请技术方案中沟槽包括具有曲面的多级子沟槽，可以形成高深宽比的沟槽，还可以大幅增大沟槽的表面积，便于形成性能更加优异的沟槽器件结构。