元胞区结构及其制作方法

本发明公开了一种元胞区结构及其制作方法,所述元胞区结构，包括:自下而上顺序形成在衬底及外延层上的阱注入、源注入和接触孔介质层，屏蔽栅介质层形成在深沟槽中，屏蔽栅多晶硅形成在屏蔽栅介质层中，第二栅多晶硅形成在屏蔽栅多晶硅上方的栅氧化介质层中，P型外延形成在屏蔽栅多晶硅两侧的深沟槽中。本发明在保持原有屏蔽栅结构基础上，能够降低因不同介质层材料导致的应力匹配问题，获得更小栅漏电容。