高沟槽密度的IGBT

本发明提供一种高沟槽密度的IGBT。该IGBT中，多个栅极沟槽设置在基底中且在基底顶面平行伸长，栅电极填充在栅极沟槽内且沿着栅极沟槽伸长的方向伸长，多个发射极接触孔设置在基底上，每个发射极接触孔横跨多个栅极沟槽且部分嵌入栅极沟槽内，发射极接触孔的部分底面位于相邻两个栅极沟槽之间的基底表面，栅电极包括相连接的下凹部和上凸部，下凹部与发射极接触孔存在交叠，发射极金属填充多个发射极接触孔且与栅极沟槽之间的基底电连接，隔离介质层位于发射极金属与栅电极之间且覆盖栅电极的顶面。发射极接触孔与栅极沟槽相交设计，可以降低发射极接触孔的对位精度要求，有利于降低IGBT的工艺难度，提高产品良率。