검색으로 돌아가기
기록
形成半导体结构的方法、以及半导体器件
발명유효
5조회수
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
何韦德; 林志昌; 王冠人; 江育贤; 胡祖禹
IPC 분류
H10D 84/01 (2025.01)H10D 84/85 (2025.01)
一种方法，包括：在衬底上方形成下部源极/漏极区；在下部源极/漏极区的旁边形成栅极堆叠件；在下部源极/漏极区上方形成上部源极/漏极区；实施背面薄化工艺，以薄化衬底并且暴露出牺牲区；去除牺牲区以暴露出下部源极/漏极区；以及形成背面接触插塞以电连接至下部源极/漏极区。本申请的实施例公开一种形成半导体结构的方法、以及半导体器件。