半导体结构

本发明公开一种半导体结构，其中该半导体结构包含基底，具有多个鳍片；第一阱和第二阱，设置在基底中，多个鳍片与第一阱部分重叠并且与第二阱部分重叠；外延源极区，设置在第一阱内的多个鳍片上；外延漏极区，设置在第二阱内的多个鳍片上；栅极，设置在外延源极区和外延漏极区之间的多个鳍片上；沟槽隔离区，设置在栅极和外延漏极区之间的第二阱内；以及狭槽接触，设置在沟槽隔离区上。