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기록

一种大角度倒装晶片、模组及其封装方法

발명유효
7조회수
9청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

何至年; 禹凯华; 吴学坚; 周波; 徐钊; 程寅山; 何敏

IPC 분류

H10H 20/856 (2025.01)H10H 20/841 (2025.01)H10H 20/819 (2025.01)H10H 20/852 (2025.01)H10H 20/01 (2025.01)H10H 20/851 (2025.01)H10H 20/854 (2025.01)

本发明属于LED技术领域,具体涉及一种大角度倒装晶片,所述倒装晶片包括GaN层及蓝宝石层;所述蓝宝石层的上表面的局部区域或全部区域通过刻蚀形成凹槽;所述凹槽上覆盖有反射薄膜;还涉及一种倒装晶片模组及其封装方法;本申请具有结构简单、适用范围广且成本低的特点,通过改变晶片结构工艺,扩大晶片的出光范围,提高晶片的出光均匀性。