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기록
一种阵列量子点薄膜及其制备方法、应用
발명유효
1조회수
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
胡坤; 陈勇; 唐许
IPC 분류
H10K 71/13 (2023.01)H10K 39/32 (2026.01)
本发明属于光电探测器制造技术领域,公开了一种阵列量子点薄膜及其制备方法、应用。所述量子点薄膜的制备方法包括:于基底上沉积绝缘层,于绝缘层表面形成具有孔洞阵列结构的光刻胶层,得到刻蚀孔,于刻蚀孔中依次沉积金属层和空穴传输层,然后去除孔洞阵列结构,放置掩膜版后喷墨打印量子点墨水,再移开掩膜版,依次于绝缘层表面沉积保护层、氧化锌层和ITO层。结合孔洞阵列结构和量子点喷墨工艺,实现微米级精度的量子点图案化,并且控制单个孔洞阵列结构中的量子点层厚度一致,量子点分布均匀,提高高密度像素化器件的产品质量。