磁性隧道结及其参考层和SOT-MRAM

本发明提供一种磁性隧道结及其参考层和SOT‑MRAM，其中磁性隧道结参考层包括：铁磁结构层；铁磁结构层包括至少一个堆叠层单元，堆叠层单元包括第一增强层、基础参考层和第二增强层中的至少两种；第一增强层中含有铁元素，第二增强层中含有钴元素，所述铁磁结构层中的各相邻层间相互铁磁耦合。本发明能够提高磁性隧道结的磁阻率。