刻蚀方法及半导体工艺设备

本申请提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，该方法包括：执行第一刻蚀步，刻蚀膜层的部分深度，以在膜层内形成至少两个沟槽；在沟槽的部分深度内填充牺牲层，每个沟槽内的牺牲层的顶面齐平；执行第二刻蚀步，刻蚀牺牲层以及至少部分沟槽底部的膜层，直至去除牺牲层，第二刻蚀步刻蚀牺牲层与刻蚀膜层的速率相等。执行第一刻蚀步形成的沟槽的深度可能不一致，在每个沟槽内重构一层顶面齐平的牺牲层，接下来执行第二刻蚀步，由于每个沟槽内的牺牲层的顶面是齐平的，并且刻蚀牺牲层与刻蚀膜层的速率是相等的，每个沟槽内的刻蚀量理论上也应该相等，最终沟槽的深度可以达到一致，从而提高了沟槽深度的均匀性。