一种半导体结构及其形成方法

本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一金属层和覆盖所述第一金属层顶面的介电层；形成位于所述介电层中的第一开口，且所述第一开口的深度小于所述介电层的厚度；形成位于所述第一开口侧壁的保护层；以及加深所述第一开口，使所述第一开口贯穿所述介电层。本申请还提供一种半导体结构。本申请提供的半导体结构及其形成方法，可以提高金属层间介电质的经时击穿性能。