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기록
一种芯片的制备方法及芯片
발명유효
7조회수
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
宋富冉
IPC 분류
H10W 20/46 (2026.01)
本申请公开了一种芯片的制备方法及芯片,芯片的制备方法,包括:在半导体层上依次形成第一导体层和第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成桥墩结构;在所述桥墩结构之间形成牺牲层;在所述桥墩结构上依次形成第三绝缘层和桥梁结构;以及去除所述牺牲层,形成空气桥结构;其中,所述牺牲层为BARC层或无定形碳层。本实施例的芯片的制备方法采用BARC层或无定形碳层作为牺牲层,BARC层或无定形碳层去除的过程中不会对芯片结构的结构造成影响,防止过刻蚀芯片结构,并有效去除噪声的干扰源。