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一种UBM跨越式晶圆级封装结构

발명유효
4조회수
8청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

张乔栋; 周尧; 黄笑; 朱红伟

IPC 분류

H10W 70/65 (2026.01)H10W 70/08 (2026.01)H10W 72/20 (2026.01)

本发明公开了一种UBM跨越式晶圆级封装结构,包括芯片、介质层、再分布层、凸块下金属化层、焊料凸块;通过RDL和UBM跨越结构,将焊垫信号引至芯片任何位置,实现了更高的I/O密度和更灵活的设计布局,嵌入式腔体为MEMS、传感器等敏感元件提供了完美的保护空间,避免了传统封装塑封料带来的应力或污染UBM跨越结构将焊料凸点布置在腔体之外的坚固区域,远离敏感的功能区域。凸点产生的热机械应力通过坚固的UBM跨越结构分散,不会直接作用于敏感元件下方,显著提高了封装的抗疲劳寿命和可靠性。