垂直腔面发射半导体激光器及其制造方法

一种垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）具有半导体多层结构，所述半导体多层结构具有由半导体层构成的光学谐振器（12），其中，所述光学谐振器（12）具有第一布拉格反射镜（16）、第二布拉格反射镜（18）以及位于所述第一布拉格反射镜（16）与所述第二布拉格反射镜（18）之间的用于产生激光辐射的有源区（20）。所述有源区（20）具有多个有源层（22、24、40），所述有源层具有第一有源层和至少一个第二有源层（22、24），其中，所述第二有源层（24）是位于所述第二布拉格反射镜（18）之前的最后一个有源层。在所述第一有源层（22）与所述第二有源层（24）之间布置有用于限制电流的第一氧化物隔板（26）和第一隧道二极管（30），其中，第二氧化物隔板（32）布置在所述第二有源层（24）背离所述第一有源层（22）的侧上。在所述第二有源层（24）背离所述第一有源层（22）的所述侧上布置有第二隧道二极管（34）。本发明还涉及一种用于制造该VCSEL的方法。