包括具有穿过基板的不同结晶取向沟道的场效应晶体管（FET）的栅极全包围（GAA）FET设备

公开了一种栅极全包围（GAA）场效应晶体管（FET）设备和相关的制造方法。GAA FET设备包括具有沟道的P型半导体PFET和N型半导体NFET，沟道具有穿过基板的不同结晶取向。GAA PFET包括第一类型的结晶取向（例如，<110>或<111>）的沟道结构，并且GAA NFET包括与GAA PFET的第一类型的结晶取向不同的第二类型的结晶取向（例如，<100>）的沟道结构。不同结晶取向沟道改善了GAA FET设备中的GAA FET的两种载流子类型（即，P型和N型）的载流子迁移率的平衡。在一个方面，提供穿过基板的不同结晶取向沟道以增加和/或平衡GAA PFET和NFET之间的载流子迁移率，从而实现这些类型的晶体管之间的更平衡的驱动强度。