一种微波等离子体CVD腔体结构及MPCVD设备

本发明涉及真空微电子技术领域，公开了一种微波等离子体CVD腔体结构及MPCVD设备，CVD腔体结构包括铜台本体和设于其顶部的衬底承载面，所述铜台本体上方设置有一个铜柱，铜柱相对于所述铜台本体的一侧设置有凹陷部，所述凹陷部对所述衬底承载面形成半包围，且所述凹陷部与所述衬底承载面之间留有间隙ΔH，且5mm≤ΔH≤50mm；所述铜柱的轴向中心线与铜台本体中心轴之间的夹角θ满足0°≤θ≤60°。本发明旨在不显著增加制造成本和工艺复杂性的前提下，能够有效增强衬底上方的电场强度，并大幅改善其分布的均匀性，从而为实现大面积、高均匀性、高稳定性的等离子体提供一种可靠解决方案。