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기록

一种薄膜铌酸锂调制器的折射率梯度型包层及制备方法

발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

张祖琛; 蓝江玥; 王晓伟; 宋凝芳

IPC 분류

G02F 1/03 (2006.01)G02F 1/035 (2006.01)G02B 6/132 (2006.01)C23C 14/35 (2006.01)C23C 14/08 (2006.01)C23C 14/06 (2006.01)C23C 14/54 (2006.01)C23C 14/34 (2006.01)

本发明涉及一种薄膜铌酸锂调制器的折射率梯度型包层及制备方法,属于光子器件热管理及稳定性增强技术领域,本发明的包层结构通过贴合内层、导电缓冲层和高热导率外层的多层堆叠设计,交替使用Al O、AZO、AlN等层组合,使热导率或电导率呈指数型/台阶型跳变。本发明在靠近电极区域采用高导电缓冲层,远离波导区使用高热导率外层材料,构建非均匀调控结构,实现定向热释放与非均匀电压分布优化,该结构适用于热‑电耦合非对称调控场景;本发明通过控制沉积速率与退火梯度,调控晶粒尺寸与应力分布,使各层之间具备连续热扩散通道与电场缓冲斜率,制备工艺简单、热流导通稳定,适用于热主导型稳定性优化场景,增强特定区域的光场屏蔽或热场聚焦能力。