一种化合物半导体光刻胶剥离液及其制备方法、应用和清洗方法

本发明公开了一种化合物半导体光刻胶剥离液及其制备方法、应用和清洗方法，其中一种化合物半导体光刻胶剥离液包括重量配比如下的各组分：金属保护性极性有机溶剂30‑60份；非质子极性有机溶剂30‑60份；缓蚀剂1‑15份；阴离子表面活性剂1‑15份。本发明不仅公开了所述化合物半导体光刻胶剥离液的具体成分以及其制备方法，还公开了所述化合物半导体光刻胶剥离液在有效去除光刻胶的应用，在应用中所述化合物半导体光刻胶剥离液对基底有很好的保护效果，能有效的防止其被腐蚀。此外，两种溶剂协同使用，能更有效的去除光刻胶。