半导体结构及其制备方法、以及存储系统

本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、以及存储系统，其中，半导体结构包括：第一导电线组，多个第一导电线组沿第一方向间隔排布，第一导电线组包括沿第二方向延伸的第一导电线；第一延伸结构，多个第一延伸结构位于第一导电线组沿第三方向的一侧，且多个第一延伸结构沿第二方向间隔排布；以及第一接触结构；其中，第一导电线包括：第一导电部和第二导电部，分别在第二方向上位于不同的相邻第一延伸结构之间，第二导电部沿第二方向的尺寸大于第一导电部沿第二方向的尺寸；其中，第一接触结构位于第二导电部沿第三方向的一侧且与第二导电部连接；其中，第一方向、第二方向和第三方向两两相交。