包括垂直沟道晶体管的半导体器件

一种包括垂直沟道晶体管的半导体器件包括在第一方向上延伸的位线、位于所述位线上的半导体图案、第一字线和第二字线以及背栅电极。所述半导体图案包括在所述第一方向上彼此间隔开的第一垂直部分和第二垂直部分以及设置在所述第一垂直部分和所述第二垂直部分之间并且被配置为将所述第一垂直部分与所述第二垂直部分耦接的水平部分。所述第一字线和所述第二字线在所述第一垂直部分和所述第二垂直部分之间在所述第一方向上彼此间隔开，并且分别设置在所述第一垂直部分的内侧表面和所述第二垂直部分的内侧表面上，并且在第二方向上延伸。