半导体器件及其制备方法、存储器系统

本申请实施方式提供一种半导体器件及其制备方法、一种存储器系统，其中半导体器件包括连接层、叠层结构和第一接触结构。叠层结构沿第一方向位于连接层的一侧。第一接触结构包括第一介质填充部以及围绕第一介质填充部的第一导电层，其中第一介质填充部和第一导电层均沿第一方向在叠层结构中延伸，并与连接层接触。