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半导体结构、存储芯片和电子设备

발명유효
5조회수
15청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名

IPC 분류

H10B 80/00 (2023.01)H10D 80/30 (2025.01)

本公开涉及一种半导体结构、存储芯片和电子设备,该半导体结构包括中介连接层、逻辑芯片和多个存储芯片。其中,逻辑芯片和多个存储芯片连接于中介连接层的一侧,且多个存储芯片在第一方向上位于逻辑芯片的侧向;存储芯片在第二方向的总长度大体等于逻辑芯片在第二方向上的长度。该半导体结构将存储芯片与逻辑芯片在第二方向上的尺寸相适配,减少或者避免逻辑芯片的边角应力集中,避免连接逻辑芯片和存储芯片的中介连接层会产生翘曲及应力风险,提高良品率。