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一种具有共接阴极low K介质层和分立场板结构的准垂直肖特基势垒二极管

발명유효
1조회수
6청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

张紫辉; 韩蕊; 张勇辉; 刘皓琰

IPC 분류

H10D 8/60 (2025.01)H10D 64/00 (2025.01)H10D 64/23 (2025.01)H10D 62/10 (2025.01)

本发明为一种具有共接阴极low K介质层和分立场板结构的准垂直肖特基势垒二极管。该二极管的组成包括:衬底上覆盖有N电流扩展层,N电流扩展层上的一侧覆盖有N漂移层,N漂移层为朝向内侧的台阶状,其上表面矩阵分布有分立场板介质层,肖特基接触电极覆盖在分立场板介质层及其间隔所在的N漂移层上表面;low K介质层位于补齐N漂移层的一级台阶的位置;介质层覆盖在侧壁,并且并且延伸到low K介质层的表面;欧姆接触电极依次覆盖在low K介质层的上表面、介质层的上表面和侧壁,以及N电流扩展层暴露部分的上表面。本发明方法可操作性强,成本低,工艺简单可靠,适于工业上的推广使用。