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기록

半导体装置以及其制造方法

발명유효
4조회수
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

李敏鸿; 刘呈宏

IPC 분류

H10D 30/01 (2025.01)H10D 30/00 (2025.01)H10D 30/67 (2025.01)H10D 62/40 (2025.01)

提供一种半导体装置以及其制造方法。制造方法包含以下步骤:将一半导体层图案化为一通道层,其中该半导体层位于一基板上的一介电层上方;移除该通道层下方的该介电层的一第一部分以转动通道层,使得该通道层的一第一端高于该通道层的一第二端;及在该通道层上方形成一栅极结构。