一种磷化铟高迁移率晶体管的复合势垒外延材料结构及其埋栅控制方法

本发明公开了一种磷化铟高迁移率晶体管的复合势垒外延材料结构及其埋栅控制方法。由下而上依次包括半绝缘磷化铟衬底、缓冲层、沟道层、隔离层、掺杂层、里势垒层、埋栅停止层、表势垒层、InP腐蚀自停止层、帽层。其埋栅控制方法，先准备4英寸InP晶圆片，同时完成隔离及源漏欧姆接触前置工艺；InP HEMT栅极制备；埋栅工艺热处理；完成其他正面及背面工艺，经过划切形成独立芯片。本发明在外延结构中提出InP‑InAlAs‑InGaP复合势垒结构，采用埋栅工艺形成稳定扩散的肖特基接触，并且添加InGaP埋栅停止层，使得埋栅深度可控。本发明InP HEMT器件具有低噪声、低功耗、高击穿电压等特性，可满足量子比特读取、射电天文学、遥感成像等应用场景下的InP HEMT低噪声放大器使用需求。