一种硅电容器及其制备方法

本申请提供一种硅电容器及其制备方法，属于半导体领域。本申请提供的硅电容器包括：硅晶圆，包括相对设置的上表面和下表面；硅晶圆的上表面的中心区域设有多个沟槽，沟槽的开口与硅晶圆的上表面齐平；在硅晶圆的上表面无沟槽区域和沟槽内设有介电层薄膜；在介电层薄膜上表面、与中心区域对应位置处设有硅电容的上电极；在介电层薄膜上表面、与硅电容的上电极间隔第一预设距离处，设有MIM电容的上电极，硅电容和MIM电容的上表面齐平；金属线，金属线连接硅电容和MIM电容的上表面；在硅晶圆的下表面和金属线的上表面分别设有第一电极和第二电极。本申请提供的硅电容器及其制备方法，可在扩展电容器的带宽的同时降低生产成本。