一种集成多种性能CMOS器件的芯片的制备方法及芯片

本发明属于半导体集成芯片技术领域，公开了一种集成多种性能CMOS器件的芯片的制备方法及芯片；其中，所述制备方法包括：基于芯片的平面布局设计图，在晶圆衬底上形成各CMOS器件的有源区和栅极，并在形成的栅极的侧壁形成侧墙；各CMOS器件共用一张掩膜版进行Pocket implant注入，然后依次进行轻掺杂离子注入、退火以及源漏极离子注入、退火，获得集成多种性能CMOS器件的芯片。本发明实现了在同样的Mask和制程条件下不同的Pocket implant注入位置进而实现器件性能调控，可完成集成多种性能CMOS器件的芯片的制备，降低了生产成本，提高了生产效率。