半导体器件

提供了一种半导体器件，其包括：在垂直方向上延伸的第一鳍结构；在垂直方向上延伸的第二鳍结构，其中，第二鳍结构与第一鳍结构间隔开；在第一鳍结构和第二鳍结构之间的蚀刻停止图案；下绝缘层，与第一鳍结构的下表面、第二鳍结构的下表面和蚀刻停止图案的下表面接触；器件隔离层，包括在蚀刻停止图案上、在第一鳍结构和第二鳍结构之间的插置部分；栅电极，与插置部分和第一鳍结构重叠；与栅电极重叠的沟道结构；以及连接到沟道结构的源极/漏极图案。蚀刻停止图案包括与器件隔离层不同的绝缘材料。