半导体装置

一种半导体装置包括：有源图案，在第一方向上在基底上延伸；沟道图案，垂直堆叠在有源图案上；分离结构，在第二方向上延伸并且将有源图案和沟道图案中的每个分离成第一部分和第二部分；栅极结构，在第二方向上延伸并且延伸到沟道图案的第一部分上；分离图案，在第一方向上延伸，将沟道图案的第一部分分离成第一沟道图案和第二沟道图案，并且将栅极结构分离成第一栅极结构和第二栅极结构；以及第三栅极结构，在第二方向上延伸并且延伸到沟道图案的第二部分上。沟道图案的第二部分具有比第一沟道图案和第二沟道图案分别的第一宽度和第二宽度之和大的宽度。