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기록
钝化膜层的制备方法、太阳电池的制备方法
발명유효
1조회수
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
陈浩; 邹林川; 卢豪; 周俊焱; 王文杰; 田根; 郑应轩; 寇继成
IPC 분류
H10F 71/00 (2025.01)C23C 16/24 (2006.01)C23C 16/505 (2006.01)C23C 16/40 (2006.01)C23C 16/52 (2006.01)C23C 16/46 (2006.01)
本申请提供了一种钝化膜层的制备方法、太阳电池的制备方法，钝化膜层的制备方法包括以下步骤：通过等离子体增强化学气相沉积法在硅片的表面上制备第一掺杂硅层，通过等离子体增强化学气相沉积法在第一掺杂硅层背离硅片的表面上制备第二掺杂硅层；其中，制备第一掺杂硅层时的工艺运行压力为2380mtorr~2620mtorr，沉积功率为15.8KW~19.2KW；制备第二掺杂硅层时的工艺运行压力为2950mtorr~3250mtorr，沉积功率为15.8KW~19.2KW。该钝化膜层的制备方法能够提高钝化膜层的厚度均匀性、表面平整性和致密度。