一种n型氧化镓薄膜及其制备方法和应用

本申请提供了一种n型氧化镓薄膜及其制备方法和应用。制备方法：提供In掺杂氧化镓靶材，其结构式为(InGa)O，0＜x≤0.05，其中In掺杂的浓度≤5%摩尔比；将In掺杂氧化镓靶材沉积在衬底上，生长In掺杂氧化镓薄膜。还公开了根据上述方法制备的n型氧化镓薄膜，及该薄膜在制备紫外光电子器件中的应用。本申请的In掺杂方案适用于制备不同晶相的超宽禁带低阻氧化镓薄膜，且在不同类型的异质衬底上有较高的电导率，可有效支撑不同类型的电子器件研发；本申请通过调控In掺杂浓度，可以有效调节薄膜电导率和光学特性，制备工艺简单，具有良好的普适性。