一种电极沉积角度的测量方法及系统

本申请公开了一种电极沉积角度的测量方法及系统，涉及半导体、芯片技术，包括：通过光刻在衬底的表面制备具有深宽比结构的标识以及无深宽比结构的图案；去除显影后光刻胶底膜，测量光刻胶厚度；制备金属电极；去除光刻胶，仅保留孔底金属并测量金属厚度；计算不同的孔底金属厚度与实际沉积金属厚度的比值；根据所测光刻胶厚度，与，恰好超过和未超过所述预设比例阈值的标识的孔径确定金属电极沉积角度的下限和上限。通过计算不同孔底金属厚度与实际沉积厚度的比值，可得到金属电极沉积角度的范围，解决混成式红外探测器电极剥离工艺过程中由于沉积角度过于倾斜，导致的侧壁电极沉积过厚，从而难以剥离的问题。