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기록
用于半导体光刻、量测、和检测系统的抗反射纳米结构
발명유효
1조회수
15청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
M·E·帕洛斯基; 罗克珊娜·雷兹瓦尼纳拉吉; A·本迪克塞; G·D·伯格伦德; M·A·阿克巴斯; A·F·奥兰多; T·拉巴尔
IPC 분류
G03F 1/84 (2006.01)G03F 7/20 (2006.01)
描述了用于半导体光刻、量测、和检测系统的抗反射纳米结构。还描述了一种利用短(例如,飞秒)激光脉冲产生抗反射纳米结构的表面结构化工艺。短激光脉冲用于从半导体光刻、量测、和/或检测系统的一个或更多个表面去除材料。这些短激光脉冲减少表面上的热影响区,并减少加工区域中的碎屑和再熔化物。这促使形成高精度的抗反射纳米结构,且具有很少的或不具有次表面损伤。该技术是一种批量生产抗反射表面的可靠且成本效益高的方式。除其他优势外,半导体光刻、量测、和/或检测系统的通过这种方式形成抗反射纳米结构的表面通过使与光刻、量测、和/或检测操作相互作用的杂散光和/或不需要的光衰减和/或以其他方式吸收所述杂散光和/或不需要的光,以提高光刻系统的光学模块性能以及量测和检测系统的准确性和效率。