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半导体装置及其形成方法

발명유효
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§ Ⅰ

개요

발명자

施雅婷; 张赛; 纪旭; 金世轩

IPC 분류

H10B 43/35 (2023.01)H10B 43/50 (2023.01)H10W 20/43 (2026.01)H10W 20/00 (2026.01)

提供了半导体装置及其形成方法。在一个示例中,半导体结构包括:在第一方向上横向延伸的第一导体构件;以及在与第一方向垂直的第二方向上延伸到第一导体构件中的第二导体构件。第二导体构件的第一部分嵌入在第一导体构件中。在第一方向上,第二导体构件的嵌入第一导体构件中的第一部分的尺寸大于第二导体构件的处于第一导体构件外部的第二部分的尺寸。