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기록
反铁磁性体材料、磁性体及绝缘体的双层膜、隧穿磁阻元件及磁存储器
발명유효
3조회수
14청구항 · 8 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
都贺裕太; 是常隆; 田中克大; 中十知
IPC 분류
H10N 50/10 (2006.01)H10B 61/00 (2006.01)H10N 50/20 (2006.01)H10N 52/00 (2006.01)
反铁磁性体材料具有六方晶的结晶结构，且具有包含MnAB（0<x<0.5，A=Ga、Ge、Sn，B=Mg、Al、Si、P、Mn、Ni、Cu、Zn、As、Ru、Ag、Cd、In、Sb、Os、Au、Hg、Tl、Pb）、或(MnCr)GaGeSn（0<p<0.5、0<q<1、0<r<1、0<q+r≦1）的反铁磁性层、及层叠在其表面的绝缘体层。优选为，A为Ga及Sn中的至少一者。另外优选为，B为Mg、Al、Si、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、In、Sb、Au、Tl中的至少一个。