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기록
Si/SiGe EPI堆叠的减少的应变及停止层
발명유효
6조회수
24청구항 · 8 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
郝瑞英; 托马斯·基申海特尔; 阿尔温德·库马尔; 马亨德拉·帕卡拉; 罗亚·巴基; B·普拉纳瑟提哈兰; 弗雷德里克·费什伯恩
IPC 분류
H10P 14/20 (2026.01)H10P 32/10 (2026.01)
一种半导体装置及其制造方法。提供了一种基板。在基板的顶部上形成至少一个硅层。在至少一个硅层的顶部上形成至少一个硅锗层。至少一个硅锗层包括至少一种n型掺杂剂。形成具有至少一个硅层及至少一个硅锗层的半导体装置。