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기록
硅基扬声器结构及其制作方法、存储介质
발명유효
1조회수
10청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
陈先明; 冯磊; 董艳林; 黄本霞; 胡军; 曾勇志; 冯进东
IPC 분류
B81C 1/00 (2006.01)B81B 7/02 (2006.01)B81B 7/00 (2006.01)
本发明公开了一种硅基扬声器结构及其制作方法、存储介质,涉及封装基板技术领域。该方法包括:准备承载板;在承载板的表面设置核心层;在核心层的表面依次层叠设置至少两层增强层;去除承载板,获得基板;在基板的两个表面设置第一线路,基板的两个表面的第一线路通过导通柱和连接柱实现导通;蚀刻牺牲铜块和牺牲铜柱,在牺牲铜块处获得空腔,在牺牲铜柱处获得通孔,所有通孔连通构成出声孔;在空腔内放置MEMS芯片,并将MEMS芯片的引脚与第一线路连接,获得硅基扬声器结构。根据本发明实施例的制作方法,能够提升尺寸精度,减小封装尺寸,提升封装可靠性。