半导体结构的形成方法

一种半导体结构的形成方法，包括：提供第一衬底，包括第一基底、第二基底和位于第一基底与第二基底之间的埋氧层；在第一基底内形成第一凹槽和初始第二凹槽，第一凹槽的底部暴露出埋氧层表面，第一凹槽的深度大于初始第二凹槽的深度，第一凹槽的宽度大于初始第二凹槽的宽度；采用循环工艺去除初始第二凹槽底部的第一基底，在第一基底内形成第二凹槽，循环工艺包括：对初始第二凹槽底部的第一基底进行氧化形成氧化层；去除氧化层；提供第二衬底，第二衬底内具有空腔；将第二衬底与第一衬底键合，第二衬底与第一基底相接，空腔与第一凹槽相连通，空腔与第二凹槽相连通。所述方法提升了导体结构的良率。