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一种高纯铈硅合金及其制备方法
발명유효
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§ Ⅰ
개요
발명자
郭新宇; 杨宏博; 杨帆; 陈德宏; 张小伟; 吴道高; 杨文晟; 毛宁; 李栓; 余创; 董瑞锋; 钟嘉珉; 杨秉政; 徐明磊; 逄增栋
IPC 분류
C01B 33/06 (2006.01)C30B 29/36 (2006.01)
本发明公开了一种高纯铈硅合金及其制备方法，所述高纯铈硅合金包括：铈和硅，铈的含量为60wt％～80wt％，硅的含量为20wt％～40wt％，所述铈硅合金的纯度≥99.99％，该铈硅合金中杂质Fe含量≤5ppm，杂质Ni含量≤3ppm，杂质Al含量≤5ppm，气体杂质含量≤100ppm，余量杂质≤40ppm。本发明提供一种具有特定物相组成、低缺陷率、纯度≥4N的铈硅合金，能满足半导体、高端电子等领域对材料的严苛要求。