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量子点及其制备方法

발명유효
7조회수
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

康冬冬; 康永印; 苏玉仙; 余世荣

IPC 분류

C09K 11/62 (2006.01)C09K 11/02 (2006.01)B82Y 20/00 (2011.01)B82Y 30/00 (2011.01)C09K 113/00 (2026.01)

本申请公开了一种量子点及其制备方法,其中量子点包括核心层,第一壳层和第二壳层,核心层为AnInGaS,第一壳层为ZnS,第二壳层为ZnS。本申请的量子点在核心层外侧包覆第一壳层,在第一壳层外侧包覆第二壳层,减少界面缺陷,提升量子点的量子产率和稳定性。