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기록

一种膜层制备工艺、膜层结构及镜片

발명유효
4조회수
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

IPC 분류

C23C 14/22 (2006.01)C23C 14/10 (2006.01)C23C 14/06 (2006.01)C23C 14/54 (2006.01)G02B 1/14 (2015.01)

本发明涉及真空镀膜技术领域,尤其是指一种膜层制备工艺、膜层结构及镜片,包括以下步骤:A.通过镀膜工艺成型硅靶层,在硅靶层成型过程中通入氧气与惰性气体,以使得硅靶层部分结构改性成型应力平衡结构;B.于硅靶层的一端镀膜成型AR增透层;C.于AR增透层远离硅靶层的一端镀膜成型AF防摩擦层;其中,硅靶层用于与外界的基板固定。本发明通过在制备硅靶层的特定时间段内通入氧气与惰性气体,以使得硅靶层镀膜的某个厚度在非真空条件下完成镀膜,以此可有效提升整个硅靶层的内部应力,达到让硅靶层的结合力显著提升的效果。