掺杂微晶硅层的制作方法、异质结太阳能电池及其制备方法

本发明提供掺杂微晶硅层的制作方法、异质结太阳能电池及其制备方法。所述掺杂微晶硅层的制作方法首先提供PECVD设备，所述PECVD设备包括反应腔以及位于所述反应腔内相对平行设置的上极板以及下极板，所述上极板与射频电源连接；然后将硅片置于所述下极板上且位于所述上极板与所述下极板之间；接着将所述上极板与所述下极板之间的基板间距设置为第一间距，进行掺杂沉积工艺沉积微晶硅种子层，所述第一间距范围为26‑50mm；最后将所述基板间距调整为第二间距，进行所述掺杂沉积工艺在所述微晶硅种子层上沉积微晶硅主层，所述第二间距范围为10‑24mm。本发明能提高掺杂微晶硅层质量，改善异质结太阳能电池稳定性，降低异质结太阳能电池的暗衰。