검색으로 돌아가기
기록
3D NAND膜的沉积系统、沉积方法及一种存储介质
발명유효
7조회수
13청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
贾兰; 李疆琨; 李培培; 张治国; 李霖; 王志刚
IPC 분류
C23C 16/505 (2006.01)C23C 16/26 (2006.01)C23C 16/52 (2006.01)C23C 16/455 (2006.01)H01J 37/32 (2006.01)H10P 72/00 (2026.01)H10P 95/70 (2026.01)H10B 41/35 (2023.01)H10B 41/20 (2023.01)H10B 43/35 (2023.01)H10B 43/20 (2023.01)
本发明提供了一种3D NAND膜的沉积系统，包括工艺腔室、射频电源和控制器。该工艺腔室用于容纳待成膜的晶圆。该射频电源用于向工艺腔室提供射频电场。该控制器被配置为根据3D NAND膜厚度与硬度的第一对应关系，以及3D NAND膜硬度与射频功率的第二对应关系，确定射频电源在多个不同膜厚处提供的射频电场的射频功率，其中，射频电源提供的射频功率随3D NAND膜厚度的增大而增大，以在晶圆上沉积硬度均匀的3D NAND膜。