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기록

碳纳米管CVD生长炉温度场多区域协同控制方法及系统

발명유효
1조회수
10청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

刘保生; 翟鲲鹏

IPC 분류

C23C 16/52 (2006.01)C23C 16/26 (2006.01)C01B 32/16 (2017.01)B82Y 40/00 (2011.01)G06F 17/10 (2006.01)

本发明涉及控制系统技术领域,公开了碳纳米管CVD生长炉温度场多区域协同控制方法及系统,包括获取多个温区的实时温度,计算各温区的温度偏差;计算实际温度梯度,若实际温度梯度的变化率超过预设阈值,则计算梯度维持偏差,否则梯度维持偏差为零;计算增益权重;计算对各温区的预测性热扰动补偿量;计算第一控制项;预测性热扰动补偿量构成第二控制项;梯度前馈校正量构成第三控制项,梯度前馈校正量与温区的梯度维持偏差成比例;将第一控制项、第二控制项与第三控制项的和作为温区的功率控制量。本发明实现了局部温度控制与整体温度的统一协调,为碳纳米管生长提供了稳定的热环境,提高了碳纳米管生长的一致性和均匀性。