一种氮化物籽晶的培育方法

本发明属于氮化物晶体生长技术领域，具体涉及一种氮化物籽晶的培育方法，将AlN烧结体粉末置于坩埚的底端，然后于AlN烧结体粉末的上方设置导流罩，在导流罩上方依次设置底钨环，底钨环上方设置中钨环，将底部粘接AlN籽晶的籽晶托架设在中钨环上，再于籽晶托的上方设置顶钨环，然后将坩埚加盖完成填料与装配，将坩埚置于晶体生长炉中，然后升温使坩埚底部温度为2280‑2300℃，顶部温度为2200‑2230℃进行AlN籽晶培育即得，本发明通过热场与坩埚结构的设计，使得在晶体生长的同时进行籽晶培育，单次即能培育多个籽晶，提高了晶体生长炉的生产效率，降低了籽晶培育成本；可得到许多不同取向的籽晶。