芯片的失效点定位方法

本发明提供了一种芯片的失效点定位方法，属于半导体领域。该芯片的失效点定位方法包括提供一厚度在设定范围内的芯片；采用不同能量的脉冲电子束照射所述芯片，获取所述芯片不同结构层的图像；基于所述图像判断所述芯片失效的位置。本发明通过对于不同深度方向的芯片的结构层，对于不同材料的芯片的结构，采用不同能量的脉冲电子束照射芯片，获取芯片不同结构层的图像，根据图像中，失效点的图像与正常的图像的颜色、衬度和形貌不同，来判断芯片失效点的位置，避免高能量的电子束对芯片的结构层造成损伤。同时，也能够避免造成芯片失真。能够提高电子束的穿透性，高穿透性能量的电子束能够穿透芯片的多层结构，定位TSV电迁移、微凸点分层等深层失效。