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一种LED芯片漏电分析方法
발명유효
5조회수
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§ Ⅰ
개요
발명자
杨梦琳; 莫春兰; 胡祖卉; 全知觉; 吴小明; 李璠
IPC 분류
G01R 31/28 (2006.01)G01R 31/307 (2006.01)
本发明提供一种LED芯片漏电分析方法，包括：提供待分析的漏电LED芯片，将漏电LED芯片制备成裸芯封装的封装体；采用数字源表对漏电LED芯片进行通电测试；加热漏电LED芯片，将漏电LED芯片放置于漏电定位检测设备中并通入正向电压，以定位漏电LED芯片的漏电点位置，生成漏电点定位图；对漏电LED芯片进行刻蚀，露出漏电LED芯片漏电点位置的横截面，观测所述横截面并分析漏电原因。本发明有效解决了正向漏电但反向不漏电或正向漏电同时反向漏电较小（‑5V下反向漏电流值小于10µA）的LED芯片无法准确分析的问题。