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기록
一种高集成度小型化TMR磁场传感器及其使用方法
발명유효
10청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
金庆忍; 覃思; 卢柏桦; 黄承伟; 韦昌福; 胡军; 吴世林; 张汇泉
IPC 분류
G01R 33/09 (2006.01)
本发明公开了一种高集成度小型化TMR磁场传感器及其使用方法,涉及电力设备测量技术领域,解决了现有技术中现有TMR传感器多为分立器件,系统集成度低且在高频信号、电磁干扰较强的电力环境中的抗噪声性和稳定性不强的问题。发明将TMR磁敏单元、信号调理电路及模拟/数字接口高度集成于同一封装之内,在保持高灵敏度和宽频带响应的同时,显著减小了传感器尺寸。此外,本发明通过优化磁电结构设计与信号链拓扑,降低了本底噪声和偏置漂移,提高了测量精度,特别适用于高密度布局、复杂电磁环境和高带宽测量场景。本发明为智能电网、模块化电力电子装置、分布式能源系统等新型电力系统提供了更优的电流测量解决方案。