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기록
硅光栅耦合器、堆栈结构的制备方法及电子设备
발명유효
1조회수
12청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
田斌; 冯大增
IPC 분류
G02B 6/12 (2006.01)G02B 6/136 (2006.01)
本申请提供一种硅光栅耦合器、堆栈结构的制备方法及电子设备,涉及光通信技术领域。硅光栅耦合器包括:光波导、光纤和堆栈结构;堆栈结构设置在光波导和光纤之间;在垂直于光波导放置平面的垂直方向上,堆栈结构包括至少两层光学膜层;光学膜层上刻蚀有光学图案;其中,光学膜层基于光学图案对光波导出射的初始光束的光学特性进行调整,得到调整光束,并向光纤传输调整光束;光学特性包括:光束的传播方向、发散角、模式轮廓中的至少一种。在后道金属互连层的堆栈结构上设置具有光学图案的光学膜层,以通过堆栈结构对光波导出射的光束的传播方向、发散角、模式轮廓等进行调整,以实现光束的整形和转向,通过低成本的器件结构提高光束的质量。